Thyristor GTO Bất Đối Xứng 5SGA 06D4502

5SGA 06D4502 Asymmetric Gate turn-off Thyristor

Tổng quan

Thyristor GTO bất đối xứng 5SGA 06D4502 là một thyristor có khả năng khóa bằng cổng (Gate turn-off Thyristor) từ ABB Switzerland Ltd, Semiconductors. Thiết bị này được thiết kế với công nghệ silicon trôi nổi được cấp bằng sáng chế. Nó có điện cực cổng trung tâm và được chế tạo với vỏ tiêu chuẩn công nghiệp. Thyristor này có khả năng chịu đựng bức xạ vũ trụ và phù hợp cho các ứng dụng với điện áp DC link lên đến 2800 V trong môi trường bức xạ vũ trụ ở mực nước biển ngoài trời cho tỷ lệ hỏng hóc 100 FIT. Lưu ý rằng ABB Switzerland Ltd, Semiconductors có quyền thay đổi thông số kỹ thuật mà không cần thông báo.

Hình:Thyristor GTO Bất Đối Xứng 5SGA 06D4502

Ưu điểm

• Công nghệ silicon trôi nổi được cấp bằng sáng chế.
• Mất mát dẫn điện và chuyển mạch thấp.
• Điện cực cổng trung tâm.
• Vỏ tiêu chuẩn công nghiệp.
• Khả năng chịu đựng bức xạ vũ trụ.

Cơ chế

Thyristor GTO (Gate Turn-Off Thyristor) là một loại thyristor có thể được bật bằng một xung dòng điện ngắn vào cổng và tắt bằng cách áp dụng một xung điện áp âm vào cổng, rút dòng điện cổng ra. Thyristor 5SGA 06D4502 có điện cực cổng trung tâm, cho phép điều khiển dòng điện qua thiết bị.

Cách sử dụng

Khi sử dụng Thyristor GTO bất đối xứng 5SGA 06D4502, cần lưu ý các giới hạn và điều kiện hoạt động tối đa sau để tránh hư hỏng:

• Điện áp đỉnh lặp lại ngoài trạng thái tối đa (VDRM): 4500 V khi VGR ≥ 2 V.
• Dòng điện đỉnh lặp lại ngoài trạng thái tối đa (IDRM): 20 mA khi VD = VDRM, VGR ≥ 2 V.
• Dòng điện trung bình cực đại ở trạng thái bật (IT(AV)M): 210 A (nửa sin, TC = 85°C).
• Dòng điện RMS cực đại ở trạng thái bật (IT(RMS)): 330 A.
• Dòng điện xung không lặp lại cực đại (ITSM):
  • 3100 A với tp = 8.3 ms.
  • 3000 A với tp = 10 ms.
  • 6000 A với tp = 1 ms.
• Dòng điện có thể điều khiển tắt cực đại (ITGQM): 600 A.
• Điện áp ngưỡng (V(T0)): 1.9 V.
• Điện trở dốc (rT): 3.5 mΩ (Tvj = 125°C, IT = 200-600 A).
• Tốc độ tăng dòng điện cực đại (diT/dtcr): 400 A/µs với f = 200 Hz, 600 A/µs với các điều kiện khác.
• Điện áp đỉnh cổng lặp lại ngược (VGRM): 17 V.
• Dòng điện đỉnh cổng lặp lại ngược (IGRM): 20 mA khi VGR = VGRM.
• Nhiệt độ hoạt động của mối nối (Tvj): 0 đến 125 °C.
• Lực lắp đặt (Fm): 10 đến 12 kN.

Thông số kỹ thuật

Dưới đây là một số thông số kỹ thuật chính của Thyristor GTO bất đối xứng 5SGA 06D4502:

Thông số chặn:

• Điện áp đỉnh lặp lại ngoài trạng thái tối đa (VDRM): 4500 V
• Điện áp đỉnh lặp lại ngược (VRRM): 17 V
• Điện áp DC liên tục (VDclink): 2800 V (cho tỷ lệ hỏng hóc 100 FIT)
• Dòng điện đỉnh lặp lại ngoài trạng thái tối đa (IDRM): 20 mA
• Dòng điện đỉnh lặp lại ngược (IRRM): 50 mA

Thông số trạng thái bật:

• Dòng điện trung bình cực đại ở trạng thái bật (IT(AV)M): 210 A
• Dòng điện RMS cực đại ở trạng thái bật (IT(RMS)): 330 A
• Dòng điện xung không lặp lại cực đại (ITSM): 3.1×103 A (tp = 8.3 ms), 3×103 A (tp = 10 ms), 6×103 A (tp = 1 ms)
• Tích phân giới hạn I²t: 40×103 A²s (tp = 8.3 ms), 45×103 A²s (tp = 10 ms), 18×103 A²s (tp = 1 ms)
• Điện áp trạng thái bật (VT): 4 V (IT = 600 A, Tvj = 125°C)
• Điện áp ngưỡng (V(T0)): 1.9 V
• Điện trở dốc (rT): 3.5 mΩ (Tvj = 125°C, IT = 200…600 A)
• Dòng điện duy trì (IH): 20 A (Tvj = 25°C)

Thông số chuyển mạch:

• Tốc độ tăng dòng điện tới hạn (diT/dtcr): 400 A/µs (f = 200 Hz), 600 A/µs (f = 1 Hz)
• Thời gian bật tối thiểu (ton): 80 µs
• Thời gian trễ bật (td): 1.5 µs
• Thời gian tăng (tr): 3 µs
• Năng lượng bật trên xung (Eon): 0.8 J (VD = 0.5 VDRM, Tvj = 125 °C, IT = 600 A, di/dt = 200 A/µs, IGM = 20 A, diG/dt = 20 A/µs, CS = 1 µF, RS = 10 Ω)
• Dòng điện có thể điều khiển tắt cực đại (ITGQM): 600 A
• Điện áp đỉnh nhọn (VDSP): ≤ 650 V
• Thời gian tắt tối thiểu (toff): 80 µs
• Thời gian lưu trữ (tS): 15 µs
• Thời gian giảm (tf): 5 µs
• Năng lượng tắt trên xung (Eoff): 1.9 J (VD = 0.5 VDRM, Tvj = 125 °C, VDM ≤ VDRM, diGQ/dt = 20 A/µs, ITGQ = ITGQM, RS = 10 Ω, CS = 1 µF, LS = 0.15 µH RCD Snubber)
• Dòng điện cổng tắt đỉnh (IGQM): 300 A

Thông số cổng:

• Điện áp kích hoạt cổng (VGT): 1 V
• Dòng điện kích hoạt cổng (IGT): 2 A (Tvj = 25°C, VD = 24 V, RA = 0.1 Ω)
• Điện áp đỉnh cổng lặp lại ngược (VGRM): 17 V
• Dòng điện đỉnh cổng lặp lại ngược (IGRM): 20 mA

Thông số nhiệt:

• Nhiệt độ hoạt động của mối nối (Tvj): 0 đến 125 °C
• Nhiệt độ bảo quản (Tstg): 0 đến 125 °C
• Điện trở nhiệt tiếp giáp – vỏ (Rth(jc)):
  • Hai mặt làm mát: 50 K/kW
  • Mặt Anode làm mát: 85 K/kW
  • Mặt Cathode làm mát: 122 K/kW
• Điện trở nhiệt vỏ – tản nhiệt (Rth(ch)):
  • Một mặt làm mát: 16 K/kW
  • Hai mặt làm mát: 8 K/kW

Thông số cơ học:

• Lực lắp đặt (Fm): 10 đến 12 kN
• Đường kính cực (Dp): 34 mm ± 0.1 mm
• Độ dày vỏ (H): 26 mm
• Khối lượng (m): 0.25 kg
• Khoảng cách bề mặt rò (Ds) Anode đến Gate: 30 mm
• Khoảng cách phóng điện trong không khí (Da) Anode đến Gate: 20.5 mm

LGP Co., Ltd – Chúng tôi cung cấp Bình Xịt Bọt Vikan 93033 ,nổi tiếng về chất lượng và hiệu suất vượt trội trên thị trường. Sản phẩm của chúng tôi được khách hàng đánh giá cao về độ tin cậy và chất lượng tiêu chuẩn. Các sản phẩm được kiểm tra cẩn thận, mua từ các nguồn uy tín và có nhu cầu cao. Chúng tôi cung cấp trên toàn quốc với giá cả cạnh tranh. Ngoài ra, chúng tôi còn cung cấp các sản phẩm của các thương hiệu như VEE GEE Scientific,EATON-BUSSMANN, Bauergears, HEB Hydraulik , Beinat, Aeautel, Borger, Silvent, Vikan, Air Torque, Jumo, Yudian,…

*Liên hệ với chúng tôi:

CÔNG TY TNHH THƯƠNG MẠI VÀ DỊCH VỤ LÂM GIA PHÚ

– Địa chỉ: 28/12B, Đường 32, Phường Linh Đông, Quận Thủ Đức, Thành phố Thủ Đức.

– Điện thoại: +84 90 664 0828 (Ms. Như /Ms. Joyce)

– Email: marketing1@lamgiaphu.com